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ナノエレクトロニクスにおける絶縁超薄膜技術 成膜技術と膜・界面のの物性

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メーカー 5c41aafdd 発売日 2025-05-31 09:25 定価 20000円
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ナノエレクトロニクスにおける絶縁超薄膜技術 成膜技術と膜・界面のの物性

ナノエレクトロニクスにおける絶縁超薄膜技術 成膜技術と膜・界面のの物性ナノエレクトロニクスにおける絶縁超薄膜技術 成膜技術と膜・界面のの物性,独自の薄膜合成法で新高温超伝導体の創製や新物性の発現に挑む | NTT技術ジャーナル独自の薄膜合成法で新高温超伝導体の創製や新物性の発現に挑む | NTT技術ジャーナル,シリコン基板を用いた窒化物超伝導量子ビットの開発に成功|2021年|NICT-情報通信研究機構シリコン基板を用いた窒化物超伝導量子ビットの開発に成功|2021年|NICT-情報通信研究機構,NEDOと産総研、ファインセラミックス内部のキラー欠陥の可視化技術を開発 | 国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構のプレスリリースNEDOと産総研、ファインセラミックス内部のキラー欠陥の可視化技術を開発 | 国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構のプレスリリース,薄膜 - 繊細な材料のサブナノスケールイメージング薄膜 - 繊細な材料のサブナノスケールイメージング

 

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